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制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:8 A

Vds-漏源極擊穿電壓:- 30 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:20 mOhms

晶體管極性:P-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SO-8

封裝:Reel

商標(biāo):Diodes Incorporated

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降時(shí)間:40 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:8 ns

系列:AF4835

工廠包裝數(shù)量:100

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:75 ns

典型接通延遲時(shí)間:12 ns