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1983年，開始生產(chǎn)和銷售用于IR LED的GaAlAs（鎵鋁砷）外延片，這是日亞光電半導體業(yè)務的曙光。
1989年，基于氮化鎵的LED的研發(fā)開始于安裝第一臺MOCVD（金屬有機化學氣相沉積）設備，該設備將產(chǎn)生藍色LED。
1991年，開始研發(fā)用于鋰離子二次電池的正極材料。在此期間，這些產(chǎn)品的研發(fā)將成為日亞未來幾年主要業(yè)務的基礎。